Шорсткі поверхні GaAs різної морфології, отримані хімічно-механічною поліровкою та анізотропним травленням, розгянуто як геометрично невпорядковані системи з керованим ступенем невпорядкованості. Для їх дослідження та кількісного статистичного опису використано мікроскопію атомних сил і профілометрію. Вплив геометричної невпорядкованості на розсіяння електромагнітних хвиль досліджено в широкому спектральному діапазоні від Х-променів до інфрачервоного світла. Вдосконалення кристалічної структури анізотропно травленого підповерхневого шару підтверджено результатами експериментів з ослабленого повного внутрішнього відбивання (ОПВВ) і комбінаційного розсіяння світла. Незвичайно посилені смуги поверхневих поляритонів для поверхні дендритної морфології спостережено у спектрах ОПВВ і комбінаційного розсіяння.

Експериментально вивчено морфологію та геометричний рельєф реальних поверхонь (100) монокристалів GaAs, вирощених способом Чохральського. Поверхні отримано різними способами: механічним і хіміко-механічним поліруванням, механічним різанням, анізотропним хімічним травленням. Як взаємодоповнювальні методи використано ковзне відбиття рентгенівських променів, оптичне дзеркальне відбиття, профілометрію, скануючі тунельну мікроскопію та мікроскопію атомних сил. Проведено порівняння результатів вимірювань геометричної структури поверхні, отриманих різними методами, і з'ясовано, що реальну поверхню GaAs можна описати як суперпозицію мікро- та макрошорсткостей, які проявляються у випадку розсіяння електромагнітних хвиль з відповідною довжиною хвилі.

Экспериментально изучено морфологию и геометрический рельеф реальных поверхностей (100) монокристаллов GaAs, выращенных способом Чохральского. Поверхности получены способами механической и химико-механической полировки, механической резки, анизотропного химического травления. Как взаимодополняющие использованы методы скользящего отражения рентгеновских лучей, оптического зеркального отражения, профилометрии, сканирующих туннельной и атомных сил микроскопии. Результаты измерений сравнены различными методами и установлено, что реальную поверхность GaAs можно представить суперпозицией микро- и макрошероховатостей, которые проявляются при рассеивании электромагнитных волн с соответствующей длиной волны.

The paper presents the study of morphology and roughness of (100) surfaces of GaAs single crystals grown by the Czochralski method. The surfaces were prepared in a different way: mechanical polishing, chemomechanical polishing, mechanical grinding, wet polishing etching, anisotropic etching. The X-ray grazing incidence reflectivity, atomic force microscopy, scanning tunneling microscopy, optical specular reflection, and profilometric methods were complementary used. The application of these methods allowed to reveal the details of differences in the surface morphology varied with the way of its preparation.